科学家在MOF薄层中实现金属电导率！

科学家在MOF薄层中实现金属电导率！

Göttingen, Deutschland - 物质科学界发生了什么？在一个显着的突破中，卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）的研究人员与德国和巴西的合作伙伴一起开发了一种新型的金属有机支架连接（MOF）。这个新的薄薄层（称为Cu3（HHTP）2）显示出惊人的行为：它像金属一样导致电流，这将以前的假设转向了该材料的半导体特性上的假设。该进度发表在受人尊敬的贸易杂志上材料范围 从历史上看，MOF由于其高孔隙率和适应性而引起了对能源技术和电子产品领域的极大兴趣，但存在弱点：低电导率。这严重限制了其在电子设备中的实际用途。借助新的制造风格，该样式在自我控制的实验室中使用了基于AI和机器人的合成，研究人员能够最大程度地减少拖把中的错误，传统上阻碍了电子传输。结果令人印象深刻：在室温下，Cu3（HHTP）2薄层的电导率在每米，甚至在-173.15摄氏度下每米300个西门子的电导率。

MOPS的新时代

金属电导率的至关重要元素是所谓的狄拉克锥，在2D材料的六边形D6H对称性中被鉴定出来。该特性使研究人员能够探索可能引起新技术的异常运输现象，例如尖峰和小型隧道。由于这些进展，MOF可以用于从传感器到量子材料的各种应用中，这大大扩展了未来电子产品的观点。 kit的报告 这可以通过描述这些材料的下一代材料的作用来实现下一代电子组合的作用。

自动合成，快速材料表征和理论建模的结合奠定了在电子领域的摩托车未来的基础。该团队不仅清楚地确定了Cu3（HHTP）2 MOF的结构属性，而且更好地理解了电导率所基于的机制。 Mirage News 强调这一材料研究中的这一步骤如何为创新产品铺平道路。